Le japonais Toshiba et le coréen Hynix ont annoncé la création d'une joint-venture pour développer des puces mémoire magnétorésistante de type MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Comparées aux DRAM actuelles, la MRAM se caractérise par la possibilité de changer la valeur de sa résistance électrique en présence d'un champ magnétique externe.