Intel Corporation et Micron Technology ont annoncé aujourd’hui le lancement d’un nouveau procédé de gravure, plus fin, en 20 nanomètres (nm), pour la fabrication de la mémoire flash NAND. Cette nouvelle avancée technologique produit une cellule flash NAND multiniveau (MLC) de 8 gigaoctets (Go). Elle se traduit ainsi par une option de stockage haute capacité et petit format pour enregistrer de la musique, de la vidéo, des livres et autres données sur smartphones, tablettes et autre solutions informatique telles que la mémoire transistorisée (Solid-State Drives, SSD).

La nouvelle cellule en 20 nm de 8 Go ne mesure que 118 mm² de superficie et permet une réduction de 30 à 40 % de l’espace nécessaire sur la carte mère (selon le type de conditionnement) par rapport à une cellule en 25 nm de 8 Go existante. De plus, une réduction de la superficie du stockage flash se traduit par une plus grande efficacité au niveau du système tout entier, car les constructeurs de tablettes et de smartphones peuvent utiliser l’espace ainsi libéré pour améliorer leurs produits : batterie de plus grande capacité, écran plus grand ou ajout d’une puce supplémentaire pour gérer des fonctions nouvelles.