Kontich, 6 april 2006 - La société Intel est la première à mettre à disposition des échantillons de puces de mémoire flash NOR multiniveaux (Multi-Level Cell, MLC) d'une densité de 1 gigabit, à l'aide de son procédé de gravure en 65 nanomètres (nm). La mémoire flash NOR d'Intel est employée sur divers appareils électroniques de poche, parmi lesquels des téléphones mobiles (gestion du fonctionnement) et des assistants numériques (gestion des données, stockage des photos, musiques et vidéos).

Grâce à cette avancée, les clients OEM d'Intel dans le secteur de la téléphonie mobile bénéficieront d'une architecture commune qui simplifiera le passage du 90 au 65 nm.

Brian Harrison, vice-président d'Intel et directeur général du Flash Memory Group : « Avec ces produits, Intel propose les mémoires flash NOR les plus avancées sur le créneau des téléphones mobiles d'usage courant. Notre procédé de gravure en 65 nm permettra d'améliorer les performances des mémoires flash et donnera aux utilisateurs de la nouvelle génération de téléphones mobiles accès à des fonctionnalités plus avancées ou nouvelles.»
Les échantillons de puces seront à la disposition des clients OEM a la fin du deuxième trimestre.

Quelques mots sur le procédé de gravure en 65 nm d'Intel
C'est au second semestre 2005 que la société Intel a entamé la gravure de microprocesseurs en 65 nm. Elle livre actuellement des processeurs basés sur 65nm pour les portables, les desktops, les serveurs ainsi que des produits destinée à l'informatique embarquée.